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k9f1208  

2012-03-07 19:48:50|  分类: 元器件 |  标签: |举报 |字号 订阅

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 K9F1208介绍

K9F1208是Samsung 公司生产的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存储器。该存储器的工作电压为2.7~3.6 V,内部存储结构为528字节×32页×4 096块,页大小为528字节,块大小为(16 KB+512字节);可实现程序自动擦写、页程序、块擦除、智能的读/写和擦除操作,一次可以读/写或者擦除4页或者块的内容,内部有命令寄存器。如图2 所示,该器件按功能可以划分为:存储阵列、输入/输出缓冲、命令寄存器、地址译码寄存器和控制逻辑产生。其中,命令寄存器用来确定外部设备对存储器进行操 作的类型;地址译码寄存器用于保存被访问的地址并产生相应的译码选通信号。主设备通过8位I/O端口分时复用访问器件命令、地址和数据寄存器,完成对芯片 内存储器的访问。

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 K9F1208读/写和擦除操作的实现

对于K9F1208的 操作主要有页读取和页编程操作。图3是NAND Flash的标准页读取时序图。具体的页读取操作如下:发命令阶段,在片选信号CE有效的情况下,首先命令允许信号CLE有效,此时写入信号WE有效,芯 片准备好信号R/B置高,表示准备好;同时向I/O口发送读操作命令(0x00或0x01),表示是读操作。发地址阶段,此时片选有效,地址允许信号 ALE有效,写入信号WE保持有效,连续发送4个地址字;K9F1208的地址寄存器接收到地址值后,R/B信号将维持“忙”一段时间,此后R/B变为准备好状态。最后是数据输出阶段,每次读有效信号置低有效时,将会输出一组数据。如此往复直到所有数据输出完毕。

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图4是NAND FLash的标准页编程时序图。具体的页编程操作如下:发命令阶段,向I/O口发送页编程操作第一个命令字(0x80),表示是页编程操作。发地址阶段,连续发送4个地址字,K9F1208的地址寄存器接收到地址值后,等待接收数据;当数据总线发送数据后,K9F1208连续接收数据,直到接收到页编程的第二个命令字(0x10),即结束等待接收数据的状态;R/B信号将维持“忙”一段时间,此后R/B变为准备好状态。最后总线上发出读状态命令字(0x70),则K9F1208的命令寄存器接收并响应该命令,向I/O口发送表示操作成功的状态数据(0x00)或表示操作失败的状态数据(0X01)。

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